德國(guó)英飛凌科技股份公司近日推出一種創(chuàng)新型封裝技術(shù)，將為純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)等要求苛刻的汽車(chē)電子應(yīng)用帶來(lái)更大的電流承受能力和更高效率。
據(jù)介紹,新推出的TO封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)H-PSOF（散熱型塑料小外形扁平引線）?？蓭椭?chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員達(dá)到更高的強(qiáng)制性的汽車(chē)燃油效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)滿足苛刻的總體排放要求。為達(dá)到這些標(biāo)準(zhǔn)，需要采用電流承受能力超過(guò)200安、導(dǎo)通電阻低于1毫歐的功率MOSFET，以降低傳輸損耗并提高總體效率。迄今為止，汽車(chē)市場(chǎng)尚未推出滿足這些需求的MOSFET。
此外，相比通常用于同類(lèi)汽車(chē)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝（TO-263）而言，H-PSOF封裝的尺寸更小，高度更低。H-PSOF封裝的面積比目前的D2PAK小20%左右，高度幾乎是D2PAK的一半。
據(jù)悉,英飛公司首批推出的采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品是40VOptiMOST2功率晶體管，它們的漏極電流高達(dá)300安，導(dǎo)通電阻低至0.76毫歐。
